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激光加速创新中心

  • 磁控溅射单元

    仪器编号202015888

    型号JCP500

    联系人及邮箱赵家瑞 jrzhao@pku.edu.cn

    设备位置2008实验室

  • 仪器详细信息
  • 仪器收费标准
主要功能
（a）适用于开发纳米级单层、多层及复合膜层等； （b）适用于制备金属膜、合金膜、半导体膜、陶瓷膜、介质膜；例：银、铝、铜、镍、铬、镍铬合金、氧化钛、氮化钛、氮化铬、ITO、二氧化硅等； （c）适用于三靶单独溅射、依次溅射、共同溅射；
技术指标
真空腔Ф500×H420mm；基片旋转：0～20转/分钟；加热:室温～500±1℃，可控可调；配置3套3英寸永磁共焦磁控溅射靶（溅射靶角度、高度可调），向下溅射；磁控靶RF、MF、DC兼容，可以溅射磁性材料；磁控靶配有气动挡板结构；

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